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ÀúÀÚ ±èÇöÈÄ⋅±èÇѼö⋅ÀÌâÀç
¸é¼ö 250
¹ßÇàÀÏ 2014-08-20
Á¤°¡ \ 18,000
ISBN 9788957174166
µµ¼­ÄÚµå 93560
ÆǸŰ¡ \ 18,000
ÁÖ¹®¼ö·®
ÃÑ ÁÖ¹®±Ý¾× \ 18,000
¡Ø ¹è¼Ûºñ¾È³» : ±¸¸Å±Ý¾× 30,000¿øÀÌ»ó ¹«·á¹è¼Û
¹Ù·Î ±¸¸ÅÇϱâ Àå¹Ù±¸´Ï ´ã±â À§½Ã¸®½ºÆ® ´ã±â

º» ±³Àç´Â °¡±ÞÀûÀÌ¸é º¹ÀâÇÏ°í ¾î·Á¿î ¼ö½ÄÀ» ¹èÁ¦Çϸ鼭 °¢Á¾ ¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚÀÇ Á¾·ù¿Í µ¿ÀÛ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇϱ⠽±µµ·Ï ±¸¼ºÇÏ¿© ´ëÇÐ 1, 2ÇгâÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ±âÃÊ°úÁ¤¿¡¼­ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ³ª¿­ÇÏ¿´´Ù. ±×¸®°í ¹ÝµµÃ¼¿¡ Èï¹Ì¸¦ °¡Áø ÀϹÝÀÎÀ̳ª °úÇбâ¼ú ºÐ¾ß¿¡ Á¾»çÇÏ´Â ºÐµéµµ Âü°íÀÚ·á·Î ÀÌ¿ëÇϸç, ½±°Ô ¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚÀÇ µ¿ÀÛ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ±¸¼ºÇÏ¿´´Ù.

±³ÀçÀÇ ±¸¼ºÀº Àü±â¡¤ÀüÀÚ°øÇÐ, Àç·á°øÇÐ, ¹ÝµµÃ¼°øÇÐ µîÀ» °øºÎÇÏ´Â °øÇеµ¿¡°Ô ÇÑ Çбâ¿ëÀ¸·Î ÀûÇÕÇϵµ·Ï ²Ù¸çÁ³´Ù. º» ±³ÀçÀÇ ÇнÀÂ÷·Ê¸¦ »ìÆ캸¸é, °¡Àå ±âº»ÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ °³³äÀ» 1Àå¿¡¼­ ´Ù·ç¾úÀ¸¸ç, 2ÀåºÎÅÍ 4Àå±îÁö´Â ´ÙÀÌ¿Àµå, ¹ÙÀÌÆú¶ó Á¢ÇÕ Æ®·£Áö½ºÅÍ(BJT)¿Í MOSFETÀÇ ¼ø¼­·Î ±¸Á¶, µ¿ÀÛ¿ø¸® ¹× Ư¼º µîÀ» ±â¼úÇÏ¿´°í, ƯÈ÷ 4Àå¿¡¼­´Â Á¦Á¶°øÁ¤À» ¼øÂ÷ÀûÀ¸·Î ÀÚ¼¼È÷ ±â¼úÇÏ¿´´Ù. ±×¸®°í 5Àå°ú 6Àå¿¡¼­´Â °¢Á¾ ¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚ¿Í ±¤¼ÒÀÚ¿¡ ´ëÇÑ µ¿ÀÛ¿ø¸®¿Í Ư¼ºÀ» °£´ÜÇÏ°Ô ¼Ò°³ÇÏ¿´À¸¸ç, 7Àå¿¡¼­´Â ÃÖ±Ù ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ ±â¼ú ¹× ½ÃÀ嵿Çâ¿¡ ´ëÇØ Á¤¸®ÇÏ¿´´Ù. ¸¶Áö¸·À¸·Î ºÎ·Ï¿¡¼­´Â ÀϹÝÀûÀ¸·Î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â CMOS Á¦Á¶°øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ µðÀÚÀÎ ±ÔÄ¢(design rule)À» °£´ÜÈ÷ Á¤¸®ÇÏ¿© µµ¿òÀÌ µÇµµ·Ï Ãß°¡ÇÏ¿´´Ù.

Chapter 01 ¹ÝµµÃ¼ ±âÃÊ

1.1 ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¤ÀÇ
1.2 ÀüÀÚ»ê¾÷ÀÇ ½Ò, ¹ÝµµÃ¼
1.3 ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¿ª»ç
1.4 IC(integrated circuit)ÀÇ °³¹ß
1.5 ±¹³» ¹ÝµµÃ¼ ¿ª»ç
1.6 ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Æ¯¼º
1.7 ¹ÝµµÃ¼ Àç·á
1.8 ¹ÝµµÃ¼ Á¾·ù
1.9 °áÁ¤ ±¸Á¶
1.10 ¿øÀÚ ±¸Á¶
1.11 ½Ç¸®ÄÜ°ú °øÀ¯°áÇÕ
1.12 ¿¡³ÊÁö´ë(energy band)
1.13 ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø
1.14 ¼ø¼ö ¹ÝµµÃ¼¿Í ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼
1.15 ºÐÆ÷ ÇÔ¼ö
1.16 ij¸®¾î ¹Ðµµ
1.17 nÇü ¹ÝµµÃ¼
1.18 pÇü ¹ÝµµÃ¼
1.19 ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Ä³¸®¾î ¹Ðµµ
1.20 ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü·ù Àü´Þ
¡Ü¿¬½À¹®Á¦


Chapter 02 pn Á¢ÇÕ ´ÙÀÌ¿Àµå

2.1 ¹°Áú °£ÀÇ Á¢ÇÕ
2.2 ´ÙÀÌ¿Àµå
2.3 pÇü ¹ÝµµÃ¼¿Í nÇü ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¢ÇÕ
2.4 pn ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í ¿¡³ÊÁö¹êµå ´ÙÀ̾î±×·¥
2.5 pn Á¢ÇÕÀÇ ¼ø¹æÇâ ¹ÙÀ̾
2.6 pn Á¢ÇÕÀÇ ¿ª¹æÇâ ¹ÙÀ̾
2.7 ¹ÙÀ̾¿¡ µû¸¥ ¿¡³ÊÁö¹êµå
2.8 Á¤·ù¿ë ´ÙÀÌ¿Àµå
2.9 ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ Æ¯¼º
2.10 ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ Á¦Á¶°øÁ¤
¡Ü¿¬½À¹®Á¦


Chapter 03 ¹ÙÀÌÆú¶ó Á¢ÇÕ Æ®·£Áö½ºÅÍ(BJT; bipolar junction transistor)

3.1 Æ®·£Áö½ºÅÍ
3.2 BJT(bipolar junction transistor)
3.3 BJT Á¾·ù ¹× ±¸Á¶
3.4 ¹ÙÀÌÆú¶ó µ¿ÀÛÀÇ ±âº» ¿ø¸®
3.5 BJTÀÇ µ¿ÀÛ ¸ðµå
3.6 ¹ÙÀ̾ Á¶°Ç¿¡ µû¸¥ ¹êµå ´ÙÀ̾î±×·¥
3.7 BJT Á¦ÀÛ°úÁ¤
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Chapter 04 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)

4.1 MOSFET
4.2 pÇü MOS ±¸Á¶ÀÇ ¹êµå ´ÙÀ̾î±×·¥
4.3 nÇü MOS ±¸Á¶ÀÇ ¹êµå ´ÙÀ̾î±×·¥
4.4 NMOSÀÇ Æ¯¼º
4.5 NMOS µ¿ÀÛ¿ø¸®
4.6 PMOSÀÇ Æ¯¼º
4.7 PMOS µ¿ÀÛ¿ø¸®
4.8 CMOS ±âÃÊ ±¸Á¶
4.9 CMOS Á¦Á¶°øÁ¤
4.10 Mask¿Í ·¹À̾ƿô
4.11 CMOS °øÁ¤ integration
4.12 ¹ÝµµÃ¼ Æ÷Àå(package)
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Chapter 05 ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ

5.1 ¼îƮŰ ´ÙÀÌ¿Àµå(Schottky diode)
5.2 ÅͳΠ´ÙÀÌ¿Àµå
5.3 Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå
5.4 ¹Ù·¢ÅÍ ´ÙÀÌ¿Àµå
5.5 JFETÀÇ Æ¯¼º°î¼±
5.6 JFETÀÇ ÇÉÄ¡¿ÀÇÁ
5.7 MESFET
5.8 IGBT
5.9 ¼îŬ¸® ´ÙÀÌ¿Àµå(Shockley diode)
5.10 »çÀ̸®½ºÅÍ(thyristor)
5.11 ½Ç¸®ÄÜ Á¦¾î ½ºÀ§Ä¡(SCS)
5.12 ´ÙÀ̾Ç(diac)
5.13 Æ®¶óÀ̾Ç(triac)
5.14 UJT¿Í PUT
5.15 IMPATT
5.16 BARITT
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Chapter 06 ±¤Àü ¼ÒÀÚ

6.1 ±¤ ±âÃÊ
6.2 ±¤µµÀü ¼ÒÀÚ
6.3 CdS ¼¿
6.4 Æ÷Åä ´ÙÀÌ¿Àµå
6.5 Æ÷Åä Æ®·£Áö½ºÅÍ
6.6 ¹ß±¤ ´ÙÀÌ¿Àµå(LED)
6.7 ·¹ÀÌÀú ´ÙÀÌ¿Àµå
6.8 Æ÷Åä Ä¿Ç÷¯
6.9 À̹ÌÁö ¹ÝµµÃ¼
6.10 žçÀüÁö ±âÃÊ
6.11 žçÀüÁöÀÇ µ¿ÀÛ
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Chapter 07 ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú ¹× ½ÃÀ嵿Çâ

7.1 ¼¼°è ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ ½ÃÀ嵿Çâ
7.2 ±¹³» ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ ½ÃÀ嵿Çâ
7.3 ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ ±â¼úµ¿Çâ
7.4 ±¹³» ¹ÝµµÃ¼ Àåºñ¾÷ü µ¿Çâ
7.5 ģȯ°æ °íÈ¿À² LED
7.6 ¼¼°è LED »ê¾÷ÀÇ ½ÃÀ嵿Çâ
7.7 ±¹³» LED »ê¾÷ÀÇ ½ÃÀ嵿Çâ
7.8 ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ ÇâÈÄ Àü¸Á
7.9 ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ ±â´ëÈ¿°ú


[ºÎ·Ï]

ºÎ·Ï A ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ Á¦ÀÛ
ºÎ·Ï B ¼³°è ±ÔÄ¢
ºÎ·Ï C ±âŸ

403

°ü·ÃºÐ¾ß ½Å°£µµ¼­

ȸ·ÎÀÌ·ÐÀÇ ±âÃÊ¿Í ÀÀ¿ë
28,000 ¿ø